Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 826-9055
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB10N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
18,96 €
(ohne MwSt.)
22,56 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 600 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,948 € | 18,96 € |
| 200 - 480 | 0,684 € | 13,68 € |
| 500 - 980 | 0,603 € | 12,06 € |
| 1000 - 1980 | 0,567 € | 11,34 € |
| 2000 + | 0,553 € | 11,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9055
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB10N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3
- Infineon IGBT / 31 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Infineon IGBT / 34 A 20V max. , 600 V 100 W D2PAK
- Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max. Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3