Fairchild Semiconductor IGBT / 21 A, 430 V 150 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
862-9353
Herst. Teile-Nr.:
ISL9V3040S3ST
Marke:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

21A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

430V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±10 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

EcoSPARK

Automobilstandard

AEC-Q101

Energie

300mJ

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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