- RS Best.-Nr.:
- 897-7185
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N60TFKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKW30N60TFKSA1
- Marke:
- Infineon
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
Sehr geringer VCEsat
Niedrige Abschaltverluste
Kurzer Deaktivierungsstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur 175°C
Sehr geringer VCEsat
Niedrige Abschaltverluste
Kurzer Deaktivierungsstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 45 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 187 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Kapazität | 1630pF |
Nennleistung | 2.1mJ |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
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