onsemi NCP51705SMDGEVB Evaluierungsplatine, Evaluierungsplatine MOSFET, für NCP51705
- RS Best.-Nr.:
- 214-8832
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP51705SMDGEVB
- Marke:
- onsemi
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- NCP51705SMDGEVB
- Marke:
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Evaluierungsplatine | |
| Leistungmanagement Funktion | MOSFET | |
| Zur Verwendung mit | NCP51705 | |
| Kit-Klassifizierung | Entwicklungskit | |
| Vorgestelltes Gerät | NCP51705SMDGEVB | |
| Kit-Name | Evaluierungsplatine | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Evaluierungsplatine | ||
Leistungmanagement Funktion MOSFET | ||
Zur Verwendung mit NCP51705 | ||
Kit-Klassifizierung Entwicklungskit | ||
Vorgestelltes Gerät NCP51705SMDGEVB | ||
Kit-Name Evaluierungsplatine | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Der on Semiconductor EVB wurde auf einer vierschichtigen Leiterplatte entwickelt und umfasst den Treiber NCP51705 und alle erforderlichen Treiberschaltkreise. Der EVB umfasst außerdem einen integrierten digitalen Isolator und die ability zum Löten jedes MOSFET oder SiC MOSFET in einem TO-247-Hochspannungsgehäuse. Er kann in jeder Nieder- oder Hochspannungsseite verwendet werden.
Durch die Bereitstellung eines hohen Peak Current bei Schaltverlusten sind auch Minimiert
Unterspannungs-Abschaltungsüberwachung für die Vorspannungsversorgung
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