onsemi FOD8316 Evaluierungsplatine, IGBT-Antriebsoptokoppler mit Entsättigungserkennung und isolierter Fehlererfassung

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

120,04 €

(ohne MwSt.)

142,85 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1120,04 €
2 - 4115,51 €
5 +112,63 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
248-5358
Herst. Teile-Nr.:
FEBFOD8316-GEVB
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Leistungmanagement Funktion

Optokoppler

Produkt Typ

Evaluierungsplatine

Zur Verwendung mit

Industrielle Wechselrichter

Kit-Klassifizierung

Treiberplatine, Entwicklungsboard

Vorgestelltes Gerät

FOD8316

Kit-Name

IGBT-Antriebsoptokoppler mit Entsättigungserkennung und isolierter Fehlererfassung

Normen/Zulassungen

RoHS

Der 2,5-A-Ausgangsstrom-IGBT-Treiber-Optokoppler von ON Semiconductor mit Entsättigungserkennung und isolierter Fehlererkennung eignet sich ideal für die schnelle Schaltansteuerung von Leistungs-IGBTs und MOSFETs, die in Motorsteuerungs-Wechselrichteranwendungen und Hochleistungs-Stromversorgungssystemen eingesetzt werden, und bietet kritische Schutzfunktionen, die erforderlich sind, um Fehlerzustände zu verhindern, die zu einem zerstörerischen thermischen Durchgehen von IGBTs führen. Der Baustein besteht aus einem integrierten Gate-Drive-Optokoppler und ist in einem kompakten 16-poligen Small-Outline-Kunststoffgehäuse untergebracht, das die Anforderungen an die Kriech- und Luftstrecke von 8 mm erfüllt.

Hohe Störfestigkeit durch Gleichtaktunterdrückung, mindestens 35 kV/μs, VCM-1500 VPEAK

2,5 Spitzenausgangsströme für die meisten 1200 V /150 A IGBTs

Optisch isolierte Fehlererkennungsrückkopplung

Eingebauter IGBT-Schutz

Entsättigungserkennung

Schutz vor Unterspannung

Großer Versorgungsspannungsbereich: 15 V bis 30 V

Ausgangsspannungshub nahe der Versorgungsschiene

3,3 V/5 V, CMOS/TTL-kompatible Eingänge

Hohe Geschwindigkeit

250 ns maximale Laufzeitverzögerung über den gesamten Betriebstemperaturbereich

Erweiterter industrieller Temperaturbereich -40 °C bis 100 °C

Verwandte Links