Renesas Electronics Evaluierungsplatine, 3A Source, 4A Sink, 100V, High Frequency Half-Bridge Drivers with HI/LI or

Die Renesas Electronics-Platinen bieten eine schnelle und umfassende Methode zur Evaluierung des HIP2211 100-V-Hochfrequenz-Halbbrückentreibers zum Ansteuern der Gates von zwei N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration. Zwei N-Kanal-MOSFETs (mit doppelter Abmessung, die mehrere Gehäuse wie TO220 und DPAK unterstützt) und ein Induktor-Kondensator-LC-Filter sind auf den Evaluierungsplatinen enthalten, um die Evaluierung einer halbbrückengesteuerten Last wie einem synchronen Abwärtsregler zu ermöglichen. Der HIP2211-Halbbrückentreiber wird in einem 8-Ld-SOIC-, 8-Ld-DFN- oder 10-Ld-DFN-Gehäuse (mit erweitertem thermischem EPAD) angeboten. Diese Evaluierungsplatine wurde für das 10 Ld DFN-Gehäuse entwickelt. Das 8 Ld DFN-Gehäuse passt auch auf diese Platine. Beide Platinen arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 6 V bis 18 V dc und können sowohl die Hoch- als auch die Niederspannungsseite-MOSFETs in einer 100-V-Halbbrückenkonfiguration betreiben.

3-A-Quelle und 4-A-Sink-NMOS-Gate-Treiber
Interner Pegelumschalter und Bootstrap-Diode für Gate-Treiber auf der Hochspannungsseite NFET
Bis zu 100 V Hochspannungsseite Bootstrap-Referenz
6 V bis 18 V Bias-Versorgungsbetrieb
Schnelle 15 ns typische Ausbreitungsverzögerung und 2 ns typische Ausbreitungsverzögerung unterstützen einen Betrieb von bis zu 1 MHz