Infineon IMZ120R030M1H Entwicklungsboard, REF-DAB11KIZSICSYS DC/DC-Wandler, für Wandboxen werden geladen
- RS Best.-Nr.:
- 273-2039
- Herst. Teile-Nr.:
- REFDAB11KIZSICSYSTOBO1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
1.878,96 €
(ohne MwSt.)
2.235,96 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Begrenzter Lagerbestand
- Zusätzlich 2 Einheit(en) mit Versand ab 22. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | 1.878,96 € |
| 2 + | 1.822,59 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2039
- Herst. Teile-Nr.:
- REFDAB11KIZSICSYSTOBO1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Leistungmanagement Funktion | DC/DC-Wandler | |
| Produkt Typ | Entwicklungsboard | |
| Zur Verwendung mit | Wandboxen werden geladen | |
| Kit-Klassifizierung | Konvertermodul | |
| Vorgestelltes Gerät | IMZ120R030M1H | |
| Kit-Name | REF-DAB11KIZSICSYS | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Leistungmanagement Funktion DC/DC-Wandler | ||
Produkt Typ Entwicklungsboard | ||
Zur Verwendung mit Wandboxen werden geladen | ||
Kit-Klassifizierung Konvertermodul | ||
Vorgestelltes Gerät IMZ120R030M1H | ||
Kit-Name REF-DAB11KIZSICSYS | ||
Normen/Zulassungen No | ||
11 kW SiC bidirektionale DC/DC-Wandlerplatine für EV-Lade- und ESS-Anwendungen
Die REF-DAB11KIZSICSYS ist eine CLLC-Resonanz-DC/DC-Wandlerplatine, die bis zu 11 kW bei 800 V Ausgangsspannung liefern kann. Mit seiner äußerst effizienten bidirektionalen Leistungsdurchflussfähigkeit und den weichen Schaltcharakteristiken ist er der ideale Baustein, um die schnelle Prototypenentwicklung jedes EV- und ESS-Ladegeräteprojekts zu beschleunigen.
Dieses Referenzdesign bietet einen kompletten Satz von Designdateien, die auf vollständig charakterisierter Hardware basieren (noch nicht erhältlich). Es beweist, dass CoolSiCTM-MOSFETs wie der von 1EDC20I12AH angetriebene IMZ120R030M1H die perfekte Wahl sind, um kostengünstige Leistungsdichte mit höchster Zuverlässigkeit zu kombinieren.
Zusammenfassung der Merkmale
11 kW bei vollem Ausgangsspannungsbereich
bidirektionale Leistungsdurchflussfähigkeit
hoher Spitzenwirkungsgrad >= 97,2 %
hohe Leistungsdichte: 4,1 kW/l
synchroner Gleichrichter
1200 V und 1700 V CoolSiCTM MOSFETs
Vorteile
Idealer DCDC-Wandler für DC-EV-Ladegeräte und Energiespeichersysteme
ermöglicht attraktive Geschäftsmodelle (V2G und V2B) für Endkunden
Minimale Verluste während eines jeden Lade- und Entladezyklus
geringe Größe und Gewicht für eine einfache Installation
Geringe Kosten pro kW auf Systemebene
Parameter REF-DAB11KIZSICSYS
Platinen-Typ Referenzplatine
Abmessungen 60 x 134 x 331 mm
Familie CoolSiCTM MOSFET
Eingangstyp DC
Ausgangsstrom max. 20 A
Ausgangsspannung max. 800 V
Stiftleiste max. 11000 W
Produktbeschreibung 11 kW SiC bidirektionale DC/DC-Wandler ReferenzSchild für Lade- und ESS-Anwendungen
Produktname REF-DAB11KIZSICSYS
Qualifikation Industrie
Teilanwendung Ladegeräte von 30 kW bis 150 kW; Stromumwandlungssysteme
Zielanwendung EV-Ladegerät; Energiespeicherung; Medizintechnik
Topologie LLC
Verwandte Links
- Infineon ICL8810 Development Board, Development Board Sperrwandler-Konverter
- Infineon ICL8820 Development Board, Development Board Sperrwandler-Konverter
- Infineon ICL8800 Development Board Sperrwandler-Konverter
- Infineon FP100R12W3T7_B11 IMBF170R1K0M1 XMC4300 Development Board, REF-22K-GPD-INV-EASY3B
- Texas Instruments LMZM33603 Development Kit, LMZM33603 Evaluation Board DC/DC-Konverter
- Texas Instruments LMZM33606 Development Kit, LMZM33606 Evaluation Board DC/DC-Konverter
- Infineon 2ED2101S06F Development Board, Development Board
- Infineon Development Board, Companion Board
