Infineon Power MOSFET, Gate Driver Gate-Treiber-Modul, EB 2ED2410 3D 1BCD MOSFET, für

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RS Best.-Nr.:
273-2059
Herst. Teile-Nr.:
EB2ED24103D1BCDTOBO1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Leistungmanagement Funktion

MOSFET

Zur Verwendung mit

Evaluierungs-Mutter-/Tochterplatinen Benutzerhandbuch

Kit-Klassifizierung

Evaluierungsplatine

Vorgestelltes Gerät

Power MOSFET, Gate Driver

Kit-Name

EB 2ED2410 3D 1BCD

Normen/Zulassungen

RoHS

EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V Evaluierungs-MOSFET-Tochterplatine, Common Drain


Diese Tochterplatine gehört zu einer Familie von Evaluierungsplatinen, die mit der 24-V-Evaluierungsgrundplatine 2ED2410-EM (EB 2ED2410 3M) kombiniert werden können. Diese Tochterplatinen werden verwendet, um verschiedene MOSFET- und Shunt-Anordnungen zu adressieren, die typischerweise in modernen Automobilstromverteilungen für 12- und 24-V-Bordnetze zu finden sind.

Diese Tochterplatine EB 2ED2410 3D 1BCD adressiert einen Lastkanal und besteht aus zwei 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFETs (1,1 mOhm) in einer Back2Back Common Drain Konfiguration.

Folgende weitere Tochterkarten sind verfügbar:


•EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsamer Drain, 0,5 mOhm Shunt, mit Pre-Charging

•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt, mit Vorladung

Zusammenfassung der Funktionen


•Geeignet für 12 und 24 V Bordnetze

•Kombination mit 2ED2410-EM 24 V Evaluierungsgrundplatine (EB 2ED2410 3M)

•0,5 mOhm Nebenschlusswiderstand

•60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 Ohm) geeignet für 12 und 24 V Bordnetze

•MOSFET-Temperaturüberwachung mit NTC-Widerständen

•Nennstrom bis zu 20 A kontinuierlich oder 30 A für 10 min

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