Infineon Gate Driver, Power MOSFET Gate-Ansteuerungsmodul, EB 2ED2410 3D 1BCD MOSFET-Gate-Ansteuerung
- RS Best.-Nr.:
- 273-2059
- Herst. Teile-Nr.:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V Evaluierungs-MOSFET-Tochterplatine, Common Drain
Diese Tochterplatine gehört zu einer Familie von Evaluierungsplatinen, die mit der 24-V-Evaluierungsgrundplatine 2ED2410-EM (EB 2ED2410 3M) kombiniert werden können. Diese Tochterplatinen werden verwendet, um verschiedene MOSFET- und Shunt-Anordnungen zu adressieren, die typischerweise in modernen Automobilstromverteilungen für 12- und 24-V-Bordnetze zu finden sind.
Diese Tochterplatine EB 2ED2410 3D 1BCD adressiert einen Lastkanal und besteht aus zwei 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFETs (1,1 mOhm) in einer Back2Back Common Drain Konfiguration.
Diese Tochterplatine EB 2ED2410 3D 1BCD adressiert einen Lastkanal und besteht aus zwei 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFETs (1,1 mOhm) in einer Back2Back Common Drain Konfiguration.
Folgende weitere Tochterkarten sind verfügbar:
EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt
EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsamer Drain, 0,5 mOhm Shunt, mit Pre-Charging
EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt, mit Vorladung
EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsamer Drain, 0,5 mOhm Shunt, mit Pre-Charging
EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt, mit Vorladung
Zusammenfassung der Funktionen
Geeignet für 12 und 24 V Bordnetze
Kombination mit 2ED2410-EM 24 V Evaluierungsgrundplatine (EB 2ED2410 3M)
0,5 mOhm Nebenschlusswiderstand
60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 Ohm) geeignet für 12 und 24 V Bordnetze
MOSFET-Temperaturüberwachung mit NTC-Widerständen
Nennstrom bis zu 20 A kontinuierlich oder 30 A für 10 min
Kombination mit 2ED2410-EM 24 V Evaluierungsgrundplatine (EB 2ED2410 3M)
0,5 mOhm Nebenschlusswiderstand
60 V OptiMOSTM5 Leistungs-MOSFET (1,1 Ohm) geeignet für 12 und 24 V Bordnetze
MOSFET-Temperaturüberwachung mit NTC-Widerständen
Nennstrom bis zu 20 A kontinuierlich oder 30 A für 10 min
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Funktion für Stromüberwachungseinheiten | MOSFET-Gate-Ansteuerung |
Zum Einsatz mit | Evaluierungs-Mutter-/Tochterplatinen Benutzerhandbuch |
Kit-Klassifizierung | Evaluierungsplatine |
Vorgestelltes Gerät | Gate Driver, Power MOSFET |
Kit-Name | EB 2ED2410 3D 1BCD |
- RS Best.-Nr.:
- 273-2059
- Herst. Teile-Nr.:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- Marke:
- Infineon
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