Infineon Power MOSFET, Gate Driver Gate-Treiber-Modul, EB 2ED2410 3D 1BCSP MOSFET, für 2ED2410-EM
- RS Best.-Nr.:
- 273-2060
- Herst. Teile-Nr.:
- EB2ED24103D1BCSPTOBO1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Leistungmanagement Funktion | MOSFET | |
| Zur Verwendung mit | 2ED2410-EM 24-V-Evaluierungs-Motherboard | |
| Kit-Klassifizierung | Evaluierungsplatine | |
| Vorgestelltes Gerät | Power MOSFET, Gate Driver | |
| Kit-Name | EB 2ED2410 3D 1BCSP | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Leistungmanagement Funktion MOSFET | ||
Zur Verwendung mit 2ED2410-EM 24-V-Evaluierungs-Motherboard | ||
Kit-Klassifizierung Evaluierungsplatine | ||
Vorgestelltes Gerät Power MOSFET, Gate Driver | ||
Kit-Name EB 2ED2410 3D 1BCSP | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
EiceDRIVERTM APD 2ED2410-EM - 24-V-MOSFET-Evaluierungs-Tochterplatine, gemeinsame Quelle, Vorladung
Diese Tochterplatine gehört zu einer Familie von Evaluierungsplatinen, die mit der 2ED2410-EM 24-V-Evaluierungs-Motherboard (EB 2ED2410 3M) kombiniert werden können. Diese Tochterplatinen werden verwendet, um verschiedene MOSFETs und Shunt-Anordnungen anzugehen, die typischerweise in modernen Kraftfahrzeug-Stromverteilungen für 12- und 24-V-Platinennetze gefunden werden.
Diese Tochterplatine EB 2ED2410 3D 1BCDP richtet sich an einen Lastkanal und besteht aus zwei 60-V-OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFETs (1,1 mOhm) in einer Back2back Common Source-Konfiguration. Darüber hinaus kann die Last mit einem speziellen Vorladungspfad vorgeladen werden.
Folgende Tochterplatinen sind erhältlich:
•EB 2ED2410 3D 1BCS:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsamer Abfluss, 0,5 mOhm Shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsamer Ablass, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
Zusammenfassung der Merkmale
•Geeignet für 12- und 24-V-Platinennetze
•In Kombination mit 2ED2410-EM 24-V-Evaluierungs-Motherboard (EB 2ED2410 3M)
•0,5 mOhm Shunt-Widerstand
•60-V-OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 Ohm), geeignet für 12- und 24-V-Platinennetze
•MOSFET-Temperaturüberwachung mit NTC-Widerständen
•Spezieller Vorladepfad für Lasten mit hoher Eingangskapazität
•Nennstrom bis zu 20 A kontinuierlich oder 30 A für 10 min
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