Infineon Gate Driver, Power MOSFET Gate-Treiber-Modul, EB 2ED2410 3M MOSFET, für Verstellbarer Drahtschutz

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RS Best.-Nr.:
273-2062
Herst. Teile-Nr.:
EB2ED24103MTOBO1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Leistungmanagement Funktion

MOSFET

Zur Verwendung mit

Verstellbarer Drahtschutz

Kit-Klassifizierung

Evaluierungsplatine

Vorgestelltes Gerät

Gate Driver, Power MOSFET

Kit-Name

EB 2ED2410 3M

Normen/Zulassungen

RoHS

273-2062


Diese Evaluierungs-Motherboard enthält den ISO26262-fertigen 2ED2410-EM-MOSFET-Gate-Treiber mit einstellbarem I-T-Draht-Schutz für die Kraftfahrzeug-Stromverteilung mit einstellbarem I-T-Draht-Schutz. Diese Platine ist für 12-V- und 24-V-Platinennetze geeignet und enthält den OPTIREGTM TLE4296GV50 Niederspannungsabfallregler für die digitale Versorgungsspannung von 5 V auf dieser Platine. Mit Hilfe einer Drucktaste kann der Gate-Treiber zurückgesetzt werden, z. B. von einem „Safestate“-Modus zurück in den „Leerlauf“-Modus oder den „Ein“-Modus. Diese Platine kann mit verschiedenen Tochterplatinen verwendet werden, die verschiedene OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET-Arrangements mit und ohne einen dedizierten Vorladungspfad für einen Lastkanal haben:

•EB 2ED2410 3D 1BCS:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsamer Abfluss, 0,5 mOhm Shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung

•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsamer Ablass, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung

Zusammenfassung der Merkmale


•Geeignet für 12- und 24-V-Platinennetze

•Kombination mit verschiedenen MOSFETs und Shunt-Tochterplatinen

•Unterstützung von Tochterplatinen mit dediziertem Vorladepfad

•Überstromschutz mit einstellbaren Schwellenwerten

•Einstellbarer I-t-Drahtschutz

•Anzeige-LEDs

•RESET-Möglichkeit

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