Infineon Power MOSFET Demoplatine, Low Voltage Drives Scalable Power Demonstration Board MOSFET-Gate-Ansteuerung

Dieses Kit-Leistungsplatinenmodul mit dem OptiMOSTM 6-Leistungs-MOSFET von 200 V in einem D2PAK-Gehäuse stellt den Leistungsbaustein der LVD-Skalierbare-Leistungs-Demoplatinenplattform dar. Er dient als einzelne Halbbrücke mit Stromversorgungs- und Gate-Antriebsverbindungen und ermöglicht so eine einfache Akkumulierung jeder auf Halbbrücken basierenden Stromversorgungstopologie.

Variationen der Leistungsplatine mit der Leistungs-MOSFET-Familie OptiMOSTM von Infineon in den D2PAK-, D2PAK-7- und TO-Leadless-Gehäusen demonstrieren die Leistungs-MOSFET-Leistung in Bezug auf Parallelisierung und thermisches Verhalten.

•KIT_LGPWR_BOM003 (80 V TO-Leadless)

•KIT_LGPWR_BOM004 (60 V TO-bleifrei)

•KIT_LGPWR_BOM005 (100 V D2PAK 7-Pin)

•KIT_LGPWR_BOM006 (150 V D2PAK 7-Pin)

•KIT_LGPWR_BOM007 (200 V D2PAK)

•KIT_LGPWR_BOM008 (250 V D2PAK)

•KIT_LGPWR_BOM009 (200 V D2PAK)

•KIT_LGPWR_BOM010 (100 V TO-Leitungslos)

•KIT_LGPWR_BOM013 (100 V TOLG)

•IMS-Leiterplatte für erhöhte Kühlung

•SMD-Stromversorgungsklemmen mit M5-Gewinde

•Integrierte Prüfpunkt-Anschlussklemmen

•OptiMOSTM 6 Power MOSFET 200 V (IPB068N20NM6)

•Prototypenbau von Gabelstaplern und LEVs (Autos mit niedriger Geschwindigkeit, E-Roller, 3-Räder, Golfwagen)

•BPA BLDC-Motorantriebe

•Schnurlose Elektrowerkzeuge