onsemi Logikgatter, 6-Elem., NOR, TTL, 2.4 mA, 16-Pin, SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 186-8470
- Herst. Teile-Nr.:
- MC14572UBDG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Logikgatter | |
| Logikfunktion | NOR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Anzahl der Elemente | 6 | |
| Schmitt-Trigger-Eingang | Nein | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Eingangstyp | CMOS | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Ausbreitungsverzögerungszeit max. bei Lastkapazität | 80ns | |
| Ausgangsstrom High-Pegel max. | -1.1mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V dc | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 10mm | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V dc | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Ausgangsstrom Low-Pegel max. | 2.4mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Ausgangstyp | TTL | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Logikgatter | ||
Logikfunktion NOR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Anzahl der Elemente 6 | ||
Schmitt-Trigger-Eingang Nein | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 16 | ||
Eingangstyp CMOS | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Ausbreitungsverzögerungszeit max. bei Lastkapazität 80ns | ||
Ausgangsstrom High-Pegel max. -1.1mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V dc | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 10mm | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V dc | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Ausgangsstrom Low-Pegel max. 2.4mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Ausgangstyp TTL | ||
Das Hex-Funktional-Gate MC14572UB ist mit MOS P-Kanal- und N-Kanal-Enhancement-Mode-Geräten in einer monolithischen Struktur aufgebaut. Diese komplementären MOS-Gates finden den primären Einsatz, wenn eine geringe Verlustleistung und/oder eine hohe Störfestigkeit gewünscht wird. Der Chip enthält vier Wechselrichter, ein NOR-Gatter und ein NAND-Gatter.
Diodenschutz an allen Eingängen
Betrieb mit einfacher Spannungsversorgung
Versorgungsspannungsbereich = 3,0 V dc bis 18 V dc
Nor Eingangsstift neben VSS-Stift zur Vereinfachung der Verwendung als Wechselrichter
NAND-Eingangsstift Neben dem VDD-Stift, um die Verwendung als Wechselrichter zu vereinfachen
Nor-Ausgangsstift neben dem Inverter-Eingangsstift für ODER-Anwendung
NAND-Ausgangsstift neben dem Inverter-Eingangsstift für UND-Anwendung
Kann zwei TTL-Lasten mit niedriger Leistung oder eine TTL-Last mit niedriger Leistungsaufnahme über den Nenntemperaturbereich steuern