STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 600 V / 2.2 A 22 W, 8-Pin PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

10,31 €

(ohne MwSt.)

12,27 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.940 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 901,031 €10,31 €
100 - 2400,98 €9,80 €
250 - 4900,907 €9,07 €
500 - 9900,833 €8,33 €
1000 +0,805 €8,05 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-423
Herst. Teile-Nr.:
STL3NM60N
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Serie

MDmesh II

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

22W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstände zu erzielen. Er ist daher für die anspruchsvollsten Konverter mit hohem Wirkungsgrad geeignet.

100 % Avalanche-getestet

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

Verwandte Links