STMicroelectronics MDmesh STB23NM50N N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 761-0663
Herst. Teile-Nr.:: STB23NM50N
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh STB23NM50N N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 761-0663
Herst. Teile-Nr.:: STB23NM50N
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Serie	MDmesh
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	190 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	45 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	10.4mm
Länge	10.75mm
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics MDmesh STB23NM50N N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

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