STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1500 V / 7 A 250 W, 3-Pin STW12N150K5 TO-247

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RS Best.-Nr.:
151-449
Herst. Teile-Nr.:
STW12N150K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1500V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

MDmesh K5

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des On-Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.

Branchenweit niedrigster RDS(on) x Fläche

Branchenweit bestes FoM

Extrem niedrige Gate-Ladung

100% Avalanche-getestet

Zener-geschützt

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