STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A, 3-Pin STD4NK80ZT4 TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.395,00 €

(ohne MwSt.)

1.660,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 23. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,558 €1.395,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
151-899
Herst. Teile-Nr.:
STD4NK80ZT4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6.6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungsgerät mit zenergeschütztem N-Kanal, das mit der SuperMESH-Technologie entwickelt wurde, einer Optimierung des etablierten PowerMESH. Neben einer erheblichen Reduzierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand ist dieses Gerät so konzipiert, dass eine hohe dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist.

Gate-Ladung minimiert

Sehr niedrige innere Kapazität

Zener-geschützt

Verwandte Links