STMicroelectronics STFW4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 151-933
- Herst. Teile-Nr.:
- STFW4N150
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1500V | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Serie | STFW4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 44mm | |
| Länge | 44mm | |
| Breite | 15.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1500V | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Serie STFW4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 44mm | ||
Länge 44mm | ||
Breite 15.7 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- KR
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit dem MESH OVERLAY-Verfahren auf Basis des konsolidierten Streifenlayouts entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standardteile anderer Hersteller erreicht oder übertrifft.
100% Avalanche-getestet
Minimierte Eigenkapazitäten und Qg
Hohe Schaltgeschwindigkeit
Vollständig isoliertes TO 3PF Kunststoffgehäuse
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