ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 mA 200 mW, 3-Pin SMD
- RS Best.-Nr.:
- 178-627
- Herst. Teile-Nr.:
- RHK005N03T146
- Marke:
- ROHM
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Alternative
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- 178-627
- Herst. Teile-Nr.:
- RHK005N03T146
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 500 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SMD | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 550 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 1.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 500 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SMD | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 550 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 1.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
- Ursprungsland:
- JP