IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 200 W, 3-Pin IXFP7N80P TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 194-136
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFP7N80P
- Marke:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
24,06 €
(ohne MwSt.)
28,63 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 25 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,812 € | 24,06 € |
| 25 - 95 | 3,672 € | 18,36 € |
| 100 - 245 | 3,47 € | 17,35 € |
| 250 - 495 | 2,964 € | 14,82 € |
| 500 + | 2,792 € | 13,96 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 194-136
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFP7N80P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.44Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.66mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Distrelec Product Id | 304-29-647 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.44Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.66mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Distrelec Product Id 304-29-647 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
