IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 300 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
194-057
Herst. Teile-Nr.:
IXFP10N80P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Serie

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,1 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.66mm

Breite

4.83mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Höhe

9.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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