IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 14 A 300 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
194-063
Herst. Teile-Nr.:
IXFH14N60P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

14 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, Polar

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

550 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

5.3mm

Länge

16.26mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

38 nC @ 10 V

Höhe

21.46mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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