IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 230 Vac, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 193-543
Herst. Teile-Nr.:: IXFH69N30P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 230 Vac, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 193-543
Herst. Teile-Nr.:: IXFH69N30P
Marke:: IXYS

IXFH 69N30P PolarHT HiPerFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	69 A
Drain-Source-Spannung max.	300 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, Polar
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	49 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	230 Vac
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	156 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	16.26mm
Breite	5.3mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	21.46mm

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 230 Vac, 3-Pin TO-247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

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