IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4465
Herst. Teile-Nr.:: IXFH96N20P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 168-4465
Herst. Teile-Nr.:: IXFH96N20P
Marke:: IXYS

IXFH 96N20P PolarHT HiPerFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	96 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, Polar
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	600 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	145 nC @ 10 V
Länge	16.26mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.46mm

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

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