IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 920-0763
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH36N60P
- Marke:
- IXYS
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Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 36 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Serie | HiperFET, Polar |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Verlustleistung max. | 650 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Breite | 5.3mm |
| Länge | 16.26mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 21.46mm |
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