IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 25 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

579,27 €

(ohne MwSt.)

689,34 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 210 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +19,309 €579,27 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4493
Herst. Teile-Nr.:
IXFR44N80P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

ISOPLUS247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.21 mm

Höhe

21.34mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links