IXYS HiperFET, Polar IXFN60N80P N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 53 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 168-4494
Herst. Teile-Nr.:: IXFN60N80P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFN60N80P N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 53 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

Voraussichtlich ab 05.02.2025 verfügbar.

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RS Best.-Nr.:: 168-4494
Herst. Teile-Nr.:: IXFN60N80P
Marke:: IXYS

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	53 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	SOT-227
Serie	HiperFET, Polar
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	140 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,04 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	250 nC @ 10 V
Breite	25.42mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	38.23mm
Höhe	9.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C