IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 145 A 1.04 kW, 4-Pin IXFN150N65X2 SOT-227

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RS Best.-Nr.:
146-4239
Herst. Teile-Nr.:
IXFN150N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

HiperFET

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.04kW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

335nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.23mm

Breite

25.07 mm

Höhe

9.6mm

Automobilstandard

Nein

Niedriger RDS(ON) und Qg

Fast-Body-Diode

dv/dt Robustheit

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Gehäuse nach internationaler Norm

Resonanznetzteile

Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge)

AC- und DC-Motorantriebe

DC/DC-Konverter

Robotik und Servosteuerung

Akkuladegeräte

3-stufige Solarwechselrichter

LED-Beleuchtung

Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)

Höhere Effizienz

Hohe Leistungsdichte

Einfache Montage

Platzersparnis

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