IXYS HiperFET IXFN170N65X2 N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 146-4405
Herst. Teile-Nr.:: IXFN170N65X2
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET IXFN170N65X2 N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:: 146-4405
Herst. Teile-Nr.:: IXFN170N65X2
Marke:: IXYS

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	170 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	SOT-227
Serie	HiperFET
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	13 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	1,17 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Länge	38.23mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	25.07mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	434 @ 10 V nC
Höhe	9.6mm
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET IXFN170N65X2 N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227

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