IXYS Einfach HiperFET, Polar N-Kanal, Frontplattenmontage MOSFET 150 V Erweiterung / 150 A 680 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 194-259
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN180N15P
- Marke:
- IXYS
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- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Frontplattenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 680W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 240nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Länge | 38.23mm | |
| Breite | 25.42mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Frontplattenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 680W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 240nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.6mm | ||
Länge 38.23mm | ||
Breite 25.42mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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