IXYS Einfach HiperFET, Polar N-Kanal, Frontplattenmontage MOSFET 150 V Erweiterung / 150 A 680 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 194-259
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN180N15P
- Marke:
- IXYS
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- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Frontplattenmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 150 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 150 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 680 W | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Höhe | 9.6 mm | |
| Länge | 38.23 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 11 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 240 nC | |
| Breite | 25.42 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Frontplattenmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 150 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 150 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 680 W | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Höhe 9.6 mm | ||
Länge 38.23 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 11 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 240 nC | ||
Breite 25.42 mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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