IXYS Typ N-Kanal, Frontplattenmontage MOSFET 150 V Erweiterung / 150 A 680 W, 4-Pin SOT-227

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
194-259
Herst. Teile-Nr.:
IXFN180N15P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Frontplattenmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

680W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

38.23mm

Höhe

9.6mm

Breite

25.42mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFETTM PolarTM-Serie


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit schneller eigener Diode (HiPerFETTM) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links