IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 150 V / 150 A 680 W, 4-Pin SOT-227

Alle MOSFET anzeigen
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
RS Best.-Nr.:
194-259
Herst. Teile-Nr.:
IXFN180N15P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

150 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Montage-Typ

Schraubmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

11 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

680 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

38.23mm

Breite

25.42mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

240 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

9.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links