IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4576
Herst. Teile-Nr.:
IXFN200N10P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

Polar HiPerFET

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

235nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

680W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.23mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

25.07 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


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