IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 125-8040
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN200N10P
- Marke:
- IXYS
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | Polar HiPerFET | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 680W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 235nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Länge | 38.23mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie Polar HiPerFET | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 680W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 235nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.6mm | ||
Länge 38.23mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
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