IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin IXFN200N10P SOT-227

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RS Best.-Nr.:
125-8040
Herst. Teile-Nr.:
IXFN200N10P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

Polar HiPerFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

235nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

680W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.23mm

Breite

25.07 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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