IXYS HiperFET, Polar IXFN60N80P N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 53 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 194-350
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN60N80P
- Marke:
- IXYS
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Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 53 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Serie | HiperFET, Polar |
| Gehäusegröße | SOT-227 |
| Montage-Typ | Schraubmontage |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 140 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Verlustleistung max. | 1,04 kW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 25.42mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Länge | 38.23mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 9.6mm |
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