STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 313 W, 4-Pin SCT027W65G3-4AG

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RS Best.-Nr.:
215-228
Herst. Teile-Nr.:
SCT027W65G3-4AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 to 22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Durchlassspannung Vf

3V

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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