Nexperia NextPowerS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 46 W, 8-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-284
Herst. Teile-Nr.:
PSMN014-40HLDX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NextPowerS3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

46W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia in einem LFPAK56D-Gehäuse nutzt die NextPowerS3-Technologie und bietet hohe Leistung und Effizienz. Es ist ideal für Anwendungen wie bürstenlose DC-Motorsteuerung, DC/DC-Wandler, leistungsstarke synchronen Gleichrichter und Server-Netzteile.

Zweifach-MOSFET

Wiederholt lawinenbeständig

Kupferclip und Lötmutterbefestigung

Qualifiziert für 175 °C

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