Nexperia NextPowerS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 150 A 106 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-265
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R5-25MLHX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

NextPowerS3

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.81mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Verlustleistung Pd

106W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia mit NextPowerS3-Technologie bietet einen niedrigen RDS, einen niedrigen IDSS-Leck und einen hohen Wirkungsgrad mit einem Nennstrom von 150 A. Sein optimierter niedriger Gate-Widerstand unterstützt Anwendungen mit schnellem Schalten. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören synchrone Buck-Regler, synchrone Gleichrichter bei AC/DC- und DC/DC-Umwandlungen, BLDC-Motorsteuerung, eFuse- und Batterieschutz sowie OR-ing- und Hot-Swap-Funktionen.

Schnelles Umschalten

Geringes Spitzen und Klingeln für Konstruktionen mit geringer elektromagnetischer Störung

Hochzuverlässiger Kupferclip, geklebt

Qualifiziert für 175 °C

Freigelegte Leitungen für optimale visuelle Lötinspektion

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