Nexperia NextPowerS3 Technology Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 166 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-402
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R4-30YLDX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NextPowerS3 Technology

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.42mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27.6nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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