Nexperia NextPowerS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 250 A 194 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-341
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R2-30YLDX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

NextPowerS3

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

194W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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