Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 194 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-501
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R9-40YSBX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

194W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia nutzt die Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Es ist optimiert, um die EMV-Leistung um bis zu 6 dB zu verbessern. Er wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Automatisierung, Robotik, DC/DC-Wandler, bürstenlose DC-Motorsteuerung, Batterieisolierung, industrielle Lastschaltung, eFuse und Einschaltmanagement.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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