Nexperia PSM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 111 A 194 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-371
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN7R2-100YSFX
- Marke:
- Nexperia
Zwischensumme (1 Rolle mit 1500 Stück)*
2.392,50 €
(ohne MwSt.)
2.847,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,595 € | 2.392,50 € |
*Richtpreis
Alternative
Dieses Produkt ist derzeit nicht verfügbar. Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
2.724,00 €
(ohne MwSt.)
3.241,56 €
(inkl. MwSt.)
- RS Best.-Nr.:
- 219-371
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN7R2-100YSFX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 111A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 194W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 111A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 194W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für 175 °C qualifiziert. Es ist ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Er eignet sich für synchrone Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, primäres Seitenschalten in 48-V-DC/DC-Systemen, BLDC-Motorsteuerung, USB-PD- und mobile Schnellladeadapter sowie Flyback- und Resonanztopologien.
Starke Lawinen-Energieeinstufung
Lawinengeprüft und 100 % geprüft
Ha-frei und RoHS-konform