Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 294 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-278
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R9-100YSFX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

294W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

120nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für 175 °C qualifiziert. Es ist ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Er eignet sich für synchrone Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, primäres Seitenschalten in 48-V-DC/DC-Systemen, BLDC-Motorsteuerung, USB-PD- und mobile Schnellladeadapter sowie Flyback- und Resonanztopologien.

Starke Lawinen-Energieeinstufung

Lawinengeprüft und 100 % geprüft

Ha-frei und RoHS-konform

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