Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 405 W, 4-Pin PSMN4R8-100BSEJ LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

3,66 €

(ohne MwSt.)

4,36 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 733 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 93,66 €
10 - 993,29 €
100 +3,04 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-429
Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R8-100BSEJ
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

25°C

Maximale Verlustleistung Pd

405W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

278nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) und eine verbesserte Leistung im sicheren Betriebsbereich. Er ist für Hot-Swap-Controller optimiert und ist in der Lage, hohen Einschaltströmen standzuhalten und I2R-Verluste für eine verbesserte Effizienz zu minimieren. Zu den Anwendungen gehören Heißaustausch, Lastumschaltung, Sanftanlauf und E-Sicherung.

SOA für überlegenen linearen Betrieb

LFPAK88-Gehäuse für Anwendungen, die höchste Leistung erfordern

Verwandte Links