Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 205 A 341 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-466
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R8-80SSFJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

205A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

143nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Ha-free and RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET ist für den Betrieb bis zu 175°C qualifiziert und eignet sich ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören die synchrone Gleichrichtung in AC-DC- und DC-DC-Wandlern, primärseitiges Schalten, BLDC-Motorsteuerung, Voll- und Halbbrückenschaltungen und Batterieschutz.

Starke Lawinen-Energie-Einstufung

Lawinengeprüft und 100% getestet

Ha frei und RoHS-konform

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