Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 240 A 341 W, 5-Pin PSMN2R3-80SSFJ LFPAK

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219-458
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R3-80SSFJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Ha-free

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET ist für den Betrieb bis zu 175°C qualifiziert und eignet sich ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören die synchrone Gleichrichtung in AC-DC- und DC-DC-Wandlern, primärseitiges Schalten, BLDC-Motorsteuerung, Voll- und Halbbrückenschaltungen und Batterieschutz.

Starke Lawinen-Energie-Einstufung

Lawinengeprüft und 100% getestet

Ha frei und RoHS-konform

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