Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 267 A 341 W, 5-Pin PSMN2R0-100SSFJ LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

6,24 €

(ohne MwSt.)

7,43 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 96,24 €
10 - 995,62 €
100 +5,17 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-461
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R0-100SSFJ
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

267A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.07mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

161nC

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8 mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET ist für den Betrieb bis zu 175°C qualifiziert und eignet sich ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören die synchrone Gleichrichtung in AC-DC- und DC-DC-Wandlern, primärseitiges Schalten, BLDC-Motorsteuerung, Voll- und Halbbrückenschaltungen und Batterieschutz.

Starke Lawinen-Energie-Einstufung

Lawinengeprüft und 100% getestet

Ha frei und RoHS-konform

Verwandte Links