Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 210 A 341 W, 5-Pin PSMN2R9-100SSEJ LFPAK

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219-452
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R9-100SSEJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) und eine verbesserte Leistung im sicheren Betriebsbereich in einem hochzuverlässigen Kupfer-Clip-Gehäuse LFPAK88 aus. Er ist für Hot-Swap-Steuerungen optimiert, kann hohen Einschaltströmen standhalten und minimiert die I²R-Verluste für eine verbesserte Effizienz. Zu den Anwendungen gehören Hot-Swap, Lastumschaltung, Softstart und E-Sicherung.

SOA für überragenden Betrieb im linearen Modus

LFPAK88-Gehäuse für Anwendungen, die höchste Leistung erfordern

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