Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 147 W, 5-Pin PSMN7R5-60YLX LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-365
Herst. Teile-Nr.:
PSMN7R5-60YLX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

147W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 60134

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia wird in einem LFPAK56-Gehäuse geliefert und nutzt die TrenchMOS-Technologie und wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Netzteil- und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören synchrone Gleichrichtung in der LLC-Topologie, Ladegeräte und Adapter mit einer Ausgangsspannung von weniger als 10 V, Schnellladungs- und USB-PD-Anwendungen, batteriebetriebene Motorsteuerung und LED-Beleuchtung/TV-Hinterleuchtung.

Logikpegel-Gate-Betrieb

Lawinengeprüft und 100 % geprüft

LLFPAK bietet maximale Leistungsdichte in einem Leistungs-SO8-Gehäuse

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