Nexperia MOSFETs Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 330 A 375 W, 5-Pin LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

4,84 €

(ohne MwSt.)

5,76 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1.990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 94,84 €
10 - 994,37 €
100 +4,02 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-464
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R2-55SLHAX
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

330A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

MOSFETs

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.03mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8 mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET des NextPowerS3-Portfolios nutzt die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP und bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine niedrige Spiking-Performance, die normalerweise mit MOSFETs mit integrierter Schottky- oder Schottky-ähnlicher Diode assoziiert wird, jedoch ohne den problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 eignet sich besonders für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hohen Schaltfrequenzen.

Lawinengeprüft und 100 % getestet

Superschnelles Schalten mit sanfter Diodenerholung für geringes Spiking und Klingeln

Enge VGS(th)-Bewertung für einfache Parallelschaltung und verbesserte Stromverteilung

Verwandte Links