Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 320 A 268 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-300
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR90-40YSNX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

320A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia ist für Batteriesystemanwendungen optimiert und bietet niedrige RDS(on) und starke SOA-Fähigkeit, um I2R-Leitungsverluste zu minimieren. Er bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine reduzierte Wärmeerzeugung und eine überlegene Eingangsstrombehandlung bei Überspannungen und Fehlern. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Batteriemanagementsysteme, eFuse, Last-Schalten, BLDC-Motorsteuerung, Hochleistungs-Netzteile und synchrone Gleichrichtung.

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Lawinengeprüft und 100 % geprüft

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