Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 380 A 333 W, 5-Pin PSMNR58-30YLHX LFPAK

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219-329
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR58-30YLHX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

380A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für niedrige RDSon, niedrige IDSS-Leckage selbst bei hohen Temperaturen, hohen Wirkungsgrad und hohe Strombehandlung optimiert. Es ist ideal für DC-Lastschalter und Hot-Swap-Anwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap, E-Sicherung, Power OR-ing, DC/Last-Schaltung, Batterieschutz und Bürsten-/BLDC-Motorsteuerung.

Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit

Qualifiziert für 175 °C

Wave-Lötfähig

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