Nexperia Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 1200 V, 4-Pin NSF030120L4A0Q TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-448
- Herst. Teile-Nr.:
- NSF030120L4A0Q
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- NSF030120L4A0Q
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Nexperia SiC Power MOSFET wird in einem kompakten 4-Pin TO-247 Kunststoffgehäuse für die Durchsteckmontage auf PCBs geliefert. Aufgrund seiner hervorragenden RDS(on)-Temperaturstabilität und seiner hohen Schaltgeschwindigkeit eignet er sich ideal für industrielle Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Spannung, wie z. B. Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.
Schnelle Rückgewinnung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode